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2SC2785F

更新时间: 2024-01-30 00:26:50
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日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 137K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SC2785F 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.1 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2SC2785F 数据手册

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