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2SC2786MF

更新时间: 2024-01-20 04:42:13
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 290K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-221VAR

2SC2786MF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.83
最大集电极电流 (IC):0.02 A基于收集器的最大容量:1.3 pF
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):600 MHz

2SC2786MF 数据手册

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