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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A | 基于收集器的最大容量： | 1.3 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 600 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC2786L | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2786LF | NEC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-221VAR |
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| 2SC2786LF | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,NPN,20V V(BR)CEO,20MA I(C),TO-221VAR |
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| 2SC2786-LF | RENESAS | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2786M | NEC | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| 2SC2786MF | NEC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 20MA I(C) | TO-221VAR |
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