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2SC2776C

更新时间: 2024-02-20 15:59:04
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 35K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-346

2SC2776C 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.23Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.03 A基于收集器的最大容量:1.5 pF
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):320 MHzBase Number Matches:1

2SC2776C 数据手册

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2SC2776  
Silicon NPN Epitaxial Planar  
ADE-208-1077 (Z)  
1st. Edition  
Mar. 2001  
Application  
VHF amplifier  
Mixer, Local oscillator  
Outline  
MPAK  
3
1
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
2

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