2SC2735

更新时间： 2024-02-25 12:29:05

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日立 - HITACHI		/
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10页	48K
描述
Silicon NPN Epitaxial

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2SC2735 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MPAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.79	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1200 MHz
Base Number Matches：	1

2SC2735 数据手册

2SC2735

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

150

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Collector to base breakdown

voltage

V_(BR)CBO

—

I_C= 10 µA, I_E= 0

Collector to emitter breakdown V_(BR)CEO

voltage

—

I_C= 1 mA, R_BE= ∞

I_E= 10 µA, I_C= 0

Emitter to base breakdown

voltage

V_(BR)EBO

Collector cutoff current

I_CBO

—

0.5

1.0

µA

V_CB= 10 V, I_C= 0

Collector to emitter saturation V_CE(sat)

voltage

I_C= 20 mA, I_B= 4 mA

DC current transfer ratio

Collector output capacitance

Gain bandwidth product

Oscillating output voltage

h_FE

—

1.5

—

V_CE= 10 V, I_C= 10 mA

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

V_CE= 10 V, I_C= 10 mA

V_CC= 12 V, I_C= 7 mA,

Cob

f_T

0.85

1200

210

600

—

MHz

V_OSC1

_OSC= 300 MHz

V_CC= 12 V, I_C= 7 mA,

_OSC= 930 MHz

V_OSC2

—

130

—

Conversion gain

Noise figure

V_CC= 12 V, I_C= 2 mA,

f = 200 MHz,

_OSC= 230 MHz (0dBm)

—

6.5

—

V_CC= 12 V, I_C= 2 mA,

f = 200 MHz,

_OSC= 230 MHz (0dBm)

Note: Marking is “JC”.

123 4 5 6 7...10

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