生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.67 |
其他特性: | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC): | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压: | 120 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 200 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 125 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 0.15 W |
最大功率耗散 (Abs): | 0.15 W | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 100 MHz | VCEsat-Max: | 0.3 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SC2713_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) | |
2SC2713_15 | KEXIN |
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NPN Transistors | |
2SC2713BL | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 | |
2SC2713-BL | TOSHIBA |
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Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications | |
2SC2713-BL(T5LBSHF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
2SC2713-BL(T5LMATF | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
2SC2713BL(TE85L,F | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor | |
2SC2713BL(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor | |
2SC2713-BL,LF | TOSHIBA |
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TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI | |
2SC2713-BL,LF(B | TOSHIBA |
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暂无描述 |