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2SC2669R

更新时间: 2024-01-27 02:27:26
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其他 - ETC 晶体晶体管
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6页 316K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK

2SC2669R 技术参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.75最大集电极电流 (IC):0.05 A
基于收集器的最大容量:3.2 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.4 V
Base Number Matches:1

2SC2669R 数据手册

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