2SC2632

更新时间： 2024-02-07 16:54:09

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	37K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)

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2SC2632 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	185	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	160 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2632 数据手册

Transistor

2SC2632

P_C— Ta

I_C— V_BE

V_CE(sat)— I_C

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

120

100

I_C/I_B=10

V_CE=10V

25˚C

Ta=75˚C

–25˚C

Ta=75˚C

0.3

0.1

25˚C

–25˚C

0.03

0.01

20 40 60 80 100 120 140 160

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.1

0.3

100

(

)

( )

(

)

Ambient temperature Ta ˚C

Base to emitter voltage V_BE

Collector current I_CmA

h_FE— I_C

f_T— I_E

C_ob— V_CB

600

500

400

300

200

100

300

250

200

150

100

V_CB=10V

f=100MHz

Ta=25˚C

V_CE=10V

I_E=0

f=1MHz

Ta=25˚C

Ta=75˚C

25˚C

–25˚C

–1

0.1

0.3

100

–3

–10

–30

–100

100

(

)

(

)

( )

Collector to base voltage V_CBV

Collector current I_CmA

Emitter current I_EmA

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