2SC2634

更新时间： 2024-01-04 02:38:43

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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency and low-noise amplification)

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2SC2634 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	ROHS COMPLIANT, SC-43A, TO-92-B1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	360	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC2634 数据手册

Transistor

2SC2634

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency and low-noise amplification

Complementary to 2SA1127

Unit: mm

4.0±0.2

5.0±0.2

Features

Low noise voltage NV.

■

●

High foward current transfer ratio h_FE

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.45–⁺0⁰.^.1²

1.27

200

˚C

1 2 3

1:Emitter

I_C

100

2:Collector

3:Base

2.54±0.15

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

400

JEDEC:TO–92

EIAJ:SC–43A

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

V_CB= 10V, I_E= 0

µA

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= 10V, I_B= 0

I_C= 10µA, I_E= 0

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 5V, I_C= 2mA

0.01

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

Forward current transfer ratio

h_FE

180

700

0.6

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

_CE= 100mA, I_B= 10mA

Base to emitter voltage

Transition frequency

V_BE

f_T

V_CE= 1V, I_C= 30mA

V_CB= 5V, I_E= –2mA, f = 200MHz

200

MHz

_CE= 10V, I_C= 1mA, G_V= 80dB

Noise voltage

150

R_g= 100kΩ, Function = FLAT

^*h_FERank classification

Rank

h_FE

180 ~ 360

260 ~ 520

360 ~ 700

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