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2SC2063

更新时间: 2024-11-26 21:55:19
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 251K
描述
TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR

2SC2063 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.91
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):300 MHz
Base Number Matches:1

2SC2063 数据手册

  

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