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2SC2060

更新时间： 2024-02-25 20:26:30

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TRSYS		晶体晶体管
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1页	56K
描述
Plastic-Encapsulated Transistors

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2SC2060 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92L
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SC2060 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92MOD Plastic-Encapsulated Transistors

TO-92MOD

2SC2060 TRANSISTOR (NPN)

1. EMITTER

FEATURE

2. COLLECTOR

3. BASE

Power dissipation

P_CM

0.75

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

123

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 100µA , I_E=0

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 1mA , I_B=0

I_E= 100µA, I_C=0

V_CB=40V , I_E=0

V_EB=4V , I_C=0

0.5

0.1

400

0.4

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE(1)

V_CE=3V, I_C= 100mA

I_C= 500m A, I_B= 50mA

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

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