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2SC2047R

更新时间: 2024-01-20 17:39:46
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3页 61K
描述
BJT

2SC2047R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PF
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:700 V配置:SINGLE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:80 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SC2047R 数据手册

 浏览型号2SC2047R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC2047R的Datasheet PDF文件第3页 
パワーデバイス / Power Devices  
■ パワランモータイプPower Transistors (Molded types)  
超高速スランタꢀHigh speed switching transistors  
VCBO  
VCEO  
IC  
PC  
hFE  
スイッチングタイム Switching time(Max.) パッケージ  
質ꢀ量  
Net mass  
Grams  
Device type  
Cont.  
Amps. Watts  
(Min.) IC  
VCE  
ton  
tstg  
tf  
Package  
Volts  
150  
250  
250  
250  
250  
400  
450  
450  
450  
500  
450  
500  
450  
450  
500  
500  
500  
500  
850  
850  
Volts  
80  
Amps. Volts μsec.  
μsec.  
μsec.  
2SC2438  
2SC2767  
2SC2768  
2SC2769  
2SC2944  
2SC2626  
2SC2929  
2SC2542  
2SC3723  
2SC3317  
2SC4242  
2SC4622  
2SC2625  
ET405R  
2SC3318  
ET400  
7
5
50  
40  
40  
100  
100  
80  
40  
40  
40  
40  
40  
50  
80  
80  
80  
80  
80  
80  
40  
80  
60  
20  
20  
20  
20  
10  
20  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
1
1
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5  
1.0  
1.0  
0.8  
0.8  
0.8  
1.5  
1.0  
1.0  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
2.5  
2.0  
2.0  
2.0  
1.5  
2.0  
2.0  
2.0  
2.5  
1.5  
2.5  
2.5  
2.0  
2.0  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
3.0  
3.5  
0.3  
1.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
200  
200  
200  
200  
300  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
400  
500  
500  
1
6
1
1.0  
10  
15  
15  
3
2
0.5  
TO-3P  
TO-3P  
TO-3P  
5.5  
5.5  
5.5  
2
0.4  
6
0.8  
0.5  
2
0.8  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
5
1.0  
5
2
0.5  
5
2
0.15  
0.5  
7
4
7
4
0.5  
10  
10  
10  
10  
15  
15  
6
4
1.0  
TO-3P  
5.5  
6.0  
5.5  
6.0  
5.5  
6.0  
4
1.0  
TO-3PF  
TO-3P  
5
0.15  
0.15  
0.15  
0.15  
1.0  
5
TO-3PF  
TO-3P  
2SC3320  
ET401R  
2SC3047  
ET206  
6
6
TO-3PF  
0.5  
1
TO-220AB 2.0  
10  
1.0  
TO-3P  
5.5  
ハイβランスタꢀUltra high β transistors  
VCBO  
VCEO  
IC  
PC  
hFE  
スイッチングタイム Switching time(Max.) パッケージ  
質ꢀ量  
Net mass  
Grams  
Device type  
Cont.  
Amps. Watts  
(Min.) IC  
VCE  
ton  
tstg  
tf  
Package  
Volts  
80  
Volts  
50  
Amps. Volts μsec.  
μsec.  
μsec.  
2SD1158  
2SD1118  
2SD1128  
2SD923  
2SD982  
2SD921  
8
10  
5
40  
50  
30  
80  
40  
80  
250  
300  
700  
700  
700  
700  
1
1
1
3
1
1
5
5
4
4
4
4
0.5  
3.0  
0.8  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
TO-220AB 2.0  
80  
50  
0.5  
3.0  
0.8  
150  
150  
200  
200  
100  
100  
180  
180  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
5
TO-3P  
TO-220AB 2.0  
TO-3P 5.5  
5.5  
5
記号ꢀLetter symbols  
VCBO:  
VCEO:  
コレクベース間電圧  
Collector-to-base voltage (Emitter open)  
Collector-to-emitter voltage (Base open)  
コレクエミッタ間電圧  
VCEO (sus):コレクエミッタ間電圧  
VCEX (sus): コレクエミッタ間電圧  
Collector-to-emitter sustaining voltage (Base open)  
Collector-to-emitter sustaining voltage (Base reverse bias)  
Collector-current (continuous)  
IC (cont):  
PC:  
コレクタ電流  
コレクタ損失  
Maximum power dissipation  
hFE:  
ton:  
tstg:  
tf:  
直流電流増幅率  
ターンオン時間  
蓄積時間  
DC current gain  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
立上り時間  
10  

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