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2SC1846_15

更新时间： 2024-11-16 01:17:07

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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SC1846_15 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SC1846

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SA885

·Low collector saturation

APPLICATIONS

·For medium output power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

I_CM

1.5

1.2*¹

5*²

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

Note) *1: Without heat sink

*2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

12 3 4

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