2SC1515

更新时间： 2024-01-19 20:29:46

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描述
Silicon NPN Triple Diffused

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2SC1515 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	SC-43A, TO-92(1), 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.49	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	60 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1515 数据手册

2SC1515(K)

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_(BR)CES

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Min

200

150

Typ

—

Max

—

Unit

Test conditions

I_C= 10 µA, R_BE= 0

Collector to emitter breakdown voltage

—

I_C= 1 mA, R_BE= ∞

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

Emitter to base breakdown voltage

Collector cutoff current

—

0.1

300

1.0

1.5

—

µA

DC current transfer ratio

h_FE

—

V_CE= 6 V, I_C= 10 mA

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

Collector to emitter saturation voltage

Base to emitter saturation voltage

Gain bandwidth product

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

—

MHz V_CE= 6 V, I_C= 10 mA

pF V_CB= 6 V, I_E= 0, f = 1 MHz

Collector output capacitance

Cob

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 4

123 4 5

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