2SC1518

更新时间： 2024-02-10 23:08:52

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松下 - PANASONIC		录像机
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描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency bias oscillation of tape recorders)

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2SC1518 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.83
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	185
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SC1518 数据手册

Transistor

2SC1518

Silicon NPN epitaxial planer type

For high-frequency bias oscillation of tape recorders

For DC-DC converter

Unit: mm

5.9±0.2

4.9±0.2

Features

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Satisfactory operation performances and high efficiency with a

low-voltage power supply.

0.7±0.1

2.54±0.15

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.45^+–0.2¹

0.45⁺–0⁰.^.1²

1.27

1:Emitter

1.5

2:Collector

3:Base

I_C

EIAJ:SC–51

TO–92L Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

V_CB= 25V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= 20V, I_B= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

V_CE= 2V, I_C= 500mA^*2

V_CE= 2V, I_C= 1A^*2

330

h_FE1

h_FE2

Forward current transfer ratio

100

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 500mA, I_B= 50mA^*2

I_C= 1A, I_B= 50mA^*2

1.2

0.5

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

Rank classification

FE1

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

185 ~ 330

12 3

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