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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB826_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB826_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB826Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB826R | MOSPEC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB826S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
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| 2SB827 | Wing Shing |
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PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR |
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| 2SB827 | SANYO |
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50V/7A Switching Applications |
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| 2SB827 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB827 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB827 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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