2SB829

更新时间： 2024-01-15 22:15:45

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	212K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB829 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.31	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	90 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SB829 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB829

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SD1065

·Wide area of safe operation

·Low collector saturation voltage :

V_CE(sat)=–0.5V max.

APPLICATIONS

·Relay drivers,

·High-speed inverters,converters

·General high-current switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-60

UNIT

Open base

-50

Open collector

-6

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-15

I_CP

-20

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

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