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2SB826R

更新时间: 2024-01-19 13:42:13
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
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3页 125K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB

2SB826R 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):140JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:40 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

2SB826R 数据手册

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A

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