2SB727

更新时间： 2024-01-11 18:33:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	225K
描述
Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB727 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.71
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB727 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB727

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ I_C= -3A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.5V(Max)@ I_C= -3A

·Complement to Type 2SD768

APPLICATIONS

·Medium speed and power switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-7

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-6

I_CM

-10

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55~150

isc Website：www.iscsemi.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB727K	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
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