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2SB709A-Q

更新时间： 2024-01-13 23:41:33

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科信 - KEXIN		放大器光电二极管晶体管
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2页	1094K
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PNP Transistors

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2SB709A-Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709A-Q 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SB709A

■ Typical Characterisitics

h_FE—— I_C

Static Characteristic

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

-0

600

V_CE= -10V

COMMON

EMITTER

T_a=25℃

-3.0uA

500

-2.7uA

-2.4uA

400

300

200

100

T_a=100 ^o

-21uA

-18uA

-15uA

-12uA

-9uA

T_a=25 ^o

-6uA

I_B=-3uA

-0

-5

-10

-15

-0.1

-1

-10

-100

COLLECTOR CURRENT I_C(mA)

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V_CE(V)

V_CEsat—— I_C

C_ob/ C_ib——

V_CB/ V_EB

-200

-150

-100

-50

100

β=10

f=1MHz

I_E=0 / I_C=0

T_a=25 ^o

T_a=100℃

C_ib

C_ob

T_a=25℃

β=10

-0

-20

-1

-10

-100

-0.1

-1

-10

REVERSE VOLTAGE

(V)

COLLECTOR CURRENT I_C(mA)

P_c—— T_a

f_T——

I_C

250

200

150

100

250

200

150

100

V_CE=-10V

T_a=25 ^o

-1

-10

-100

100

125

150

AMBIENT TEMPERATURE T_a(℃)

COLLECTOR CURRENT I_C(mA)

www.kexin.com.cn

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