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2SB649AB(SOT-89)

更新时间: 2024-01-07 00:53:51
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4页 113K
描述
Transistor

2SB649AB(SOT-89) 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):60
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YESBase Number Matches:1

2SB649AB(SOT-89) 数据手册

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UTC 2SB649 /A  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
Note: Pulse test.  
CLASSIFICATION OF hFE1  
RANK  
B
C
D
RANGE  
60-120  
100-200  
160-320  
TYPICAL PARAMETERS PERFORMANCE  
2
UTC  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD  
QW-R208-035,A  

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