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2SB561

更新时间： 2024-02-29 15:32:33
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SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 78K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SB561 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.44最大集电极电流 (IC)：0.7 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：85JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SB561 数据手册

  
2SB561  
-0.7A , -25V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
Low Frequency Power Amplifier  
G
H
Emitter  
Collector  
Base  
J
A
D
Millimeter  
REF.  
CLASSIFICATION OF hFE  
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
A
B
C
D
E
F
B
Product-Rank  
2SB561-B  
2SB561-C  
120~240  
K
E
Range  
85~170  
G
H
J
1.27 TYP.  
C
F
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-25  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
-20  
Emitter to Base Voltage  
-5  
-0.7  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
A
PC  
0.5  
W
Thermal Resistance From Junction to Ambient  
Junction, Storage Temperature  
RθJA  
TJ, TSTG  
250  
°C / W  
°C  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-25  
-
-
-
V
V
IC= -0.01mA, IE=0  
-20  
-
IC= -1mA, IB=0  
-5  
-
-
-
V
IE= -0.01mA, IC=0  
VCB= -20V, IE=0  
-
-1  
-1  
240  
-0.5  
-1  
-
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
-
-
VEB= -5V, IC=0  
*
DC Current Gain  
hFE  
85  
-
VCE= -1V, IC= -0.15A  
IC= -0.5A, IB= -0.05A  
VCE= -1V, IC= -0.15A  
VCB = -10V, IE=0, f=1MHz  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Voltage  
VCE(sat)  
VBE  
Ccb  
-
V
V
-
-
Collector Output Capacitance  
Transition Frequency  
-
20  
350  
pF  
fT  
-
-
MHz VCE = -1V, IC = -0.15A  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Feb-2011 Rev. A  
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与2SB561相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB561B RENESAS

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 		700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SB561-B RENESAS

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 		SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB561BRF HITACHI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2SB561BRR RENESAS

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 		700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SB561BTZ-E RENESAS

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 		Silicon PNP Epitaxial
2SB561C ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 700MA I(C) | TO-92
2SB561-C RENESAS

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 		SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB561C-E RENESAS

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 		700mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92(1), 3 PIN
2SB561CRF HITACHI

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