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2SB1594

更新时间: 2024-11-24 22:52:39
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 151K
描述
TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

2SB1594 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.46
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:160 V配置:DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):2000JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):240
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):30 MHzBase Number Matches:1

2SB1594 数据手册

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暂无描述
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