2SB1504

更新时间： 2024-11-24 22:52:39

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描述
Silicon PNP epitaxial planar type darlington

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2SB1504 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	500	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1504 数据手册

Power Transistors

2SB1504

Silicon PNP epitaxial planar type darlington

Unit: mm

7.5 0.2

4.5 0.2

For power switching

• High forward current transfer ratio h_FE

• High-speed switching

• Allowing automatic insertion with radial taping

0.65 0.1

0.85 0.1

1.0 0.1

0.8 C

0.7 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

0.7 0.1

1.15 0.2

Parameter

Symbol

Rating

−50

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

0.5 0.1

0.4 ^0.1

−50

−7

0.8 C

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−8

1: Emitter

2: Collector

3: Base

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−12

2.5 0.2

1.5

°C

MT-3-A1 Package

150

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −30 mA, I_B= 0

−50

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_EB= −7 V, I_C= 0

−100

−2

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= −4 A

V_CE= −3 V, I_C= −8 A

1000

500

10 000

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −4 A, I_B= −8 mA

V_BE(sat)I_C= −4 A, I_B= −8 mA

−1.5

−2.0

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CB= −10 V, I_E= 0.5 A, f = 200 MHz

0.5

2.0

1.0

MHz

µs

I_C= −4 A, I_B1= −8 mA, I_B2= 8 mA

V_CC= −50 V

Storage time

µs

Fall time

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

1000 to 2500 2000 to 5000 4000 to 10000

Publication date: April 2003

SJD00080BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1504P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SB1504Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SB1504R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-221VAR
2SB1505	ROHM	获取价格	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SB1505	HITACHI	获取价格	暂无描述
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