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2SAR542P

更新时间： 2024-01-22 01:14:14
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 237K
描述
Midium Power Transistors (-30V / -5A)

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2SAR542P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-63
包装说明：ROHS COMPLIANT, CPT3, SC-63, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn98Cu2)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：240 MHzBase Number Matches：1

2SAR542P 数据手册

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2SAR542P  
Data Sheet  
Electrical characteristic curves  
-5.0mA  
-2.5mA  
-0.50  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
Ta=25°C  
V
CE =-2V  
-2.0mA  
-0.45  
-0.40  
-0.35  
-0.30  
-0.25  
-0.20  
-0.15  
-0.10  
-0.05  
0.00  
-1.5mA  
-1.0mA  
V
CE =-5V  
-2V  
Ta=125°C  
75°C  
25°C  
-40°C  
-0.5mA  
-1  
-10  
-100  
-1000  
[mA]  
-10000  
-1  
-10  
-100  
-1000  
-10000  
0.0  
-0.5  
-1  
-1.5  
-2.0  
COLLECTOR CURRENT : IC[mA]  
COLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]  
Fig.1 Typical Output Characteristics  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
Fig3. DC Current Gain vs.  
Fig.2 DC Current Gain vs.  
Collector Current ( ΙΙ )  
Collector Current ( Ι )  
-1  
-0.1  
-1  
-0.1  
-10000  
-1000  
-100  
-10  
IC/IB=20  
Ta=25°C  
V
CE =-2V  
Ta=125°C  
75°C  
25°C  
-40°C  
Ta=125°C  
75°C  
IC  
/IB  
=50  
20  
10  
-0.01  
-0.001  
-0.01  
25°C  
-40°C  
-1  
-0.001  
-1  
-10  
-100  
-1000  
[mA]  
-10000  
-1  
-10  
-100  
-1000  
-10000  
0.3  
-0.2  
-0.7  
-1.2  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
COLLECTOR CURRENT : I  
C
[mA]  
BASE TO EMITTER VOLTAGE :VBE[V]  
Fig.5 Collector-Emitter Saturation Voltage  
Fig.4 Collector-Emitter Saturation Voltage  
Fig.6 Ground Emitter Propagation  
Characteristics  
vs. Collector Current ( ΙΙ )  
vs. Collector Current ( Ι )  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
-100  
-10  
Ta=25°C  
Ta=25°C  
f=1MHz  
Single pulse  
VCE =-10V  
Cib  
IE=0A  
1ms  
IC  
=0A  
10ms  
100ms  
-1  
Cob  
DC Ta=25°C  
(Mounted on a  
-0.1  
recommended land)  
DC Ta=25°C  
(Mounted on a ceramic board)  
-0.01  
1
10  
100  
EMITTER CURRENT : IE[mA]  
1000  
-0.1  
-1  
-10  
-100  
-0.1  
-1  
-10  
-100  
COLLECTOR - BASE VOLTAGE : VCB [V]  
EMITTER - BASE VOLTAGE : VEB [V]  
Fig.7 Emitter Input Capacitance vs.  
Emitter-Base Voltage  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE[V]  
Fig.9 Safe Operating Area  
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs.  
Emitter Current  
Collector Output Capacitance vs.  
Collector-Base Voltage  
www.rohm.com  
2009.12 - Rev.A  
3/4  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
12345

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