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2SA900

更新时间: 2024-02-01 00:28:44
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页数 文件大小 规格书
3页 49K
描述
Silicon PNP Power Transistors

2SA900 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):250最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SA900 数据手册

 浏览型号2SA900的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA900的Datasheet PDF文件第3页 
JMnic  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2SA900  
DESCRIPTION  
·
·With TO-126 package  
·Complement to type 2SC1568  
·Low collector saturation voltage  
APPLICATIONS  
·For audio frequency power amplifier  
PINNING  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Emitter  
Collector;connected to  
mounting base  
2
3
Base  
Absolute Maximun Ratings (Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
VALUE  
-20  
UNIT  
V
Open emitter  
Open base  
-18  
V
Open collector  
-5  
V
-1  
A
ICM  
Collector current-peak  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
-2  
A
PC  
TC=25  
1.2  
W
Tj  
150  
-55~150  
Tstg  

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