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2SA900Q

更新时间: 2024-02-26 11:44:35
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 146K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 18V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-126

2SA900Q 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):250最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):1.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

2SA900Q 数据手册

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