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2SA882

更新时间： 2024-09-25 06:17:47

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	42K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA882 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon PNP Power Transistors

2SA882

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Excellent Safe Operating Area

APPLICATIONS

·For power and switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-130

-5

UNIT

Open base

Open collector

-7

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

-100

150

℃

T_j

T_stg

-65~200

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

1.52

℃/W

JMnic

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA883	ETC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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2SA885	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SA885	FOSHAN	获取价格	TO-126F
2SA885Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 35V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-126
2SA885R	PANASONIC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/
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