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2SA886

更新时间： 2024-09-25 06:18:51

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SAVANTIC		晶体晶体管放大器局域网
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA886 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA886

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SC1847

·Low collector-emitter saturation voltage

APPLICATIONS

·For low-frequency power amplification

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute Maximun Ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-50

UNIT

Open emitter

Open base

-40

Open collector

-5

-1.5

I_CM

Collector current-peak

-3.0

1.2*¹

5*²

P_C

Collector power dissipation

T_C=25ꢀ

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

ꢀ

T_stg

-55~150

Note) *1: Without heat sink

*2: With a 100 × 100 × 2 mm A1 heat sink

12 3 4

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