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2SA886P

更新时间: 2024-02-07 22:30:50
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 195K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126

2SA886P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SIP包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

2SA886P 数据手册

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