Datasheet > 2SA877

2SA877

更新时间： 2022-12-24 02:04:11

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	110K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA877 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA877 2SA878

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-80

-120

-6

TYP.

MAX

UNIT

2SA877

2SA878

Collector-emitter

breakdown voltage

V_(BR)CEO

I_C=-0.1A ;I_B=0

V_(BR)EBO

Emitter-base breakdown voltage

I_E=-1mA ;I_C=0

V_CEsat

Collector-emitter saturation voltage I_C=-5A; I_B=-0.5A

-2.0

-0.1

2SA877

2SA878

V_CB=-80V; I_E=0

I_CBO

Collector cut-off current

V_CB=-120V; I_E=0

V_EB=-6V; I_C=0

I_EBO

h_FE

C_OB

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=-3A ; V_CE=-4V

I_E=0 ; V_CB=-10V; f=1.0MHz

I_C=-1A ; V_CE=-12V

Output capacitance

Transition frequency

255

MHz

123

下载PDF

与2SA877相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA878	ISC	isc Silicon PNP Power Transistor	获取价格
2SA878	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA878	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA879	PANASONIC	For general amplification Complementary to 2SC1573	获取价格
2SA879Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-51	获取价格
2SA879R	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 70MA I(C) \| SC-51	获取价格