2SA673DTZ-E

更新时间： 2024-02-13 00:37:51

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5页	60K
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Silicon PNP Epitaxial

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2SA673DTZ-E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.36	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA673DTZ-E 数据手册

2SA673, 2SA673A

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

2SA673

Typ

2SA673A

Typ

Item

Symbol

Unit

Test conditions

Min

Max

Min

Max

Collector to base

breakdown voltage

V_(BR)CBO

–35

—

–50

—

I_C= –10 µA, I_E= 0

I_C= –1 mA, R_BE= ∞

I_E= –10 µA, I_C= 0

Collector to emitter

breakdown voltage

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

–35

–4

—

–50

–4

—

Emitter to base

breakdown voltage

Collector cutoff current

I_CBO

—

–0.5

–0.6

—

–0.5

–0.6

µA V_CB= –20 V, I_E= 0

Collector to emitter

saturation voltage

V_CE(sat)

–0.2

I_C= –150 mA,

I_B= –15 mA*²

DC current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE

—

320

—

320

—

V_CE= –3 V,

I_C= –10 mA

h_FE

V_CE= –3 V,

I_C= –500 mA*²

V_BE

–0.64

—

–0.64

—

V_CE= –3 V,

I_C=–10 mA

Notes: 1. The 2SA673 and 2SA673A are grouped by h_FEas follows.

2. Pulse test

60 to 120

100 to 200

160 to 320

Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 4

123 4 5

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与2SA673DTZ-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA673RF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA673TZ	RENESAS	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格
2SA675	NEC	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR DRIVING FLUORESCENT INDICATOR PANNEL	获取价格
2SA675	RENESAS	100mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, SC-43, 3 PIN	获取价格
2SA675K	NEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA675K(A)	RENESAS	2SA675K(A)-T	获取价格