Datasheet > 2SA679R

2SA679R

更新时间： 2024-02-01 02:23:37

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		/
页数	文件大小	规格书
3页	122K
描述
Transistor

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA679R 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA679 2SA680

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Complement to type 2SC1079/1080

·High power dissipation

APPLICATIONS

·For audio power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Collector

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-120

-100

-120

-100

-5

UNIT

2SA679

2SA680

2SA679

2SA680

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-12

I_E

Emitter current

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

100

℃

150

T_stg

-65~150

12 3

下载PDF

与2SA679R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA679Y	ISC	Transistor	获取价格
2SA680	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA680	NJSEMI	Trans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92L-A1	获取价格
2SA680R	ISC	Transistor	获取价格
2SA680Y	ISC	Transistor	获取价格
2SA683	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planer type	获取价格