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2SA683Q

更新时间： 2024-01-14 18:18:59

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描述
Transistor

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2SA683Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	85	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

2SA683Q 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

TO – 92L

2SA683 TRANSISTOR (PNP)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

Complementary Pair with 2SC1383

Allowing Supply with the Radial Taping.

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-30

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-25

-5

Collector Current

-1

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

0.75

167

R_θJA

T_j

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

-30

-25

-5

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-10µA,I_E=0

I_C=-2mA,I_B=0

I_E=-10µA,I_C=0

V_CB=-20V,I_E=0

-0.1

340

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-5V,I_C=0

h_FE(1)

V_CE=-10V, I_C=-0.5A

V_CE=-5V, I_C=-1A

DC current gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_{BE (sat)}

C_ob

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Transition frequency

I_C=-500mA,I_B=-50mA

V_CB=-10V,I_E=0, f=1MHz

VCE=-10V,IC=-50mA, f=200MHz

-0.4

-1.2

f_T

200

MHz

*Pulse test

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

RANK

RANGE

85-170

120-240

170-340

A,Dec,2010

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与2SA683Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA683R	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO	获取价格
2SA683S	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, RO	获取价格
2SA683S	JCST	Transistor	获取价格
2SA684	SECOS	PNP Transistor	获取价格
2SA684	DAYA	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors	获取价格
2SA684	MCC	PNP Epitaxial Silicon Transistor	获取价格