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2SA648

更新时间： 2022-12-24 02:01:58

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SAVANTIC		晶体晶体管
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3页	109K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA648 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA648

CHARACTERISTICS

Tj=25ꢀ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-120

-6

TYP.

MAX

UNIT

Collector-emitter breakdown voltage I_C=-25mA ;I_B=0

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=-1mA ;I_E=0

I_E=-1mA ;I_C=0

I_C=-5A; I_B=-0.5A

V_CB=-120V; I_E=0

V_EB=-6V; I_C=0

-2.0

-2.5

-0.1

120

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

I_C=-3A ; V_CE=-5V

I_C=-1A ; V_CE=-5V

f_T

Transition frequency

MHz

123

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