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2SA2077

更新时间： 2024-01-24 17:09:22

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松下 - PANASONIC		/
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3页	70K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(Complementary to 2SC5845)

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2SA2077 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2077 数据手册

2SA2077

P_C T_a

I_C V_CE

I_C I_B

250

−140

−120

−100

−60

−50

−40

−30

−20

−10

V_CE= −10 V

T_a= 25°C

T_a= −300 µA

200

150

100

−250 µA

−200 µA

−80

−60

−150 µA

−100 µA

−40

−20

−50 µA

120

160

− 0.2 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2

−2

−4

−6

−8

−10 −12

(

)

Ambient temperature T_a°C

(

)

(m )

Base current I_BA

Collector-emitter voltage V_CE

I_B V_BE

I_C V_BE

V_CE(sat) I_C

−3.5

−3.0

−120

−1

I_C/ I_B= 10

V_CE= −10 V

T_a= 25°C

V_CE= −10 V

−100

−80

−60

−40

−20

T_a= 75°C

−25°C

−2.5

−2.0

T_a= 75°C

− 0.1

25°C

−1.5

−1.0

−25°C

25°C

− 0.5

− 0.01

−1

− 0.2

− 0.4

− 0.6

− 0.8

−10

Collector current I_CmA

− 0.2

− 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2

−100

− 0.4

(

)

(

)

(

)

Base-emitter voltage V_BE

h_FE I_C

C_ob V_CB

300

250

200

150

100

f = 1 MHz

T_a= 25°C

V_CE= −10 V

T_a= 75°C

25°C

−25°C

−8

−16

−24

−32

−40

−1

−10

−100

−1000

(

)

(

)

Collector-base voltage V_CB

Collector current I_CmA

SJC00301AED

123

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