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2SA1841K

更新时间： 2024-02-04 06:39:49

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瑞萨 - RENESAS		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	327K
描述
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, MP-10, 3 PIN

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2SA1841K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	8000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1841K 数据手册

2SA1841

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

µA

Collector Cut-off Current

ICBO

VCB = −100 V, IE = 0 A

−1.0

−5.0

Emitter Cut-off Current

IEBO

VEB = −5.0 V, IC = 0 A

VCE = −2.0 V, IC = −4.0 A

VCE = −2.0 V, IC = −8.0 A

IC = −4.0 A, IB = −4.0 mA

IC = −4.0 A

Note

DC Current Gain

h^FE1

4000

500

20000

hFE2

Note

Collector Saturation Voltage

V^CE(sat)

V^BE(sat)

ton

−1.5

−2.0

Note

Base Saturation Voltage

Turn-on Time

0.2

1.5

0.7

µs

Storage Time

tstg

IB1 = −IB2 = −4.0 mA

Fall Time

RL = 12.5 Ω, VCC = −50 V

Note Pulsed test PW ≤ 350 ms, Duty Cycle ≤ 2%

★

hFE CLASSIFICATION

Marking

hFE1

4000 to 10000

8000 to 20000

SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT

Base current

waveform

T.U.T.

VCC

Collector current

waveform

10%

90%

PW = 50 s

BB = −5 V

Duty Cycle ≤ 2%

stg

Data Sheet D15590EJ3V0DS

1 2 345 6 7 8

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