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2SA1843-K-AZ

更新时间： 2024-02-05 19:41:43

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瑞萨 - RENESAS		/
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6页	144K
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5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SA1843-K-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.23
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1843-K-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SA1843

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

The 2SA1843 is a power transistor developed for high-speed switching and features a high h^FEat low V^CE(sat).

This transistor is ideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators.

In addition, this transistor features a package that can be auto-mounted in radial taping specifications, thus

contributing to mounting cost reduction.

FEATURES

• Auto-mounting possible in radial taping specifications

• Resin-molded insulation type package with power rating of 1.8 W in stand-alone conditions

• High h^FEand low V^CE(sat):

V^CE(sat)≤ −0.3 V

h^FE≥ 100

@I^C= −3.0 A, I^B= −0.15 A

@V^CE= −2.0 V, I^C= −1.0 A

• Fast switching speed

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

Base current (DC)

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

I^B(DC)

P^T

Conditions

Ratings

−100

−60

Unit

−7.0

−5.0

PW ≤ 300 µs, duty cycle ≤ 2%

Ta = 25°C

−10

−2.5

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

1.8

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15591EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

1998

2002

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA1843L	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SA1843-L	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1843-L-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1843M	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SA1843-M	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1843-M	RENESAS	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SA1843-M-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 60V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1845	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SA1845-AZ	RENESAS	获取价格	5A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SA1845K	NEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP

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