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2SA1840-M

更新时间： 2024-01-14 13:10:29

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	124K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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2SA1840-M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.24
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SA1840-M 数据手册

2SA1840

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −100 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

−1.0

Unit

µA

−

V^EB= −5 V, I^C= 0

−5.0

I^EBO

V^CE= −2.0 V, I^C= −2.0 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −4.0 A

I^C= −2.0 A, I^B= −2.0 mA

h^FE1*

h^FE2*

V^CE(sat)*

V^BE(sat)*

t^on

2,000

500

20,000

−

DC current gain

−0.9

−1.5

0.7

1.7

0.7

−1.5

−2.0

Collector saturation voltage

Base saturation voltage

Turn-on time

I^C= −2.0 A, I^B1= −I^B2= −2.0 mA

R^L= 25 Ω, V^CC≅ −50 V

Refer to the test circuit.

µs

Storage time

t^stg

Fall time

t^f

Collector capacitance

C^ob

V^CB= 10 V, I^E= 0, f = 1 MHz

* Pulse test PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE1

2,000 to 5,000

4,000 to 10,000

8,000 to 20,000

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

TAPING SPECIFICATION

Electrode Connection

1. Base

2. Collector

3. Emitter

Data Sheet D15589EJ2V0DS

123 4 5 6

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