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2SA1823S

更新时间: 2024-02-05 05:31:59
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 210K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 8A I(C) | SIP

2SA1823S 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:FLIP-CHIP
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.24
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):1.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2SA1823S 数据手册

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