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2SA1797L-A-T9N-B

更新时间: 2024-02-21 14:09:33
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页数 文件大小 规格书
4页 180K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

2SA1797L-A-T9N-B 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

2SA1797L-A-T9N-B 数据手册

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2SA1797  
PNP SILICON TRANSISTOR  
„
TYPICAL CHARACTERISTICS  
Grounded Emitter Propagation  
Characteristics  
Grounded Emitter Output  
Characteristics  
2.0  
1.8  
-10  
-5  
-2  
-1  
TA=25°С  
VCE=2V  
IB=10mA  
1.6  
1.4  
-0.5  
1.2  
1
-0.2  
-0.1  
-0.05  
4mA  
3mA  
800m  
-0.02  
-0.01  
-5m  
600m  
400m  
2mA  
1mA  
200m  
0
-2m  
-1m  
0 1  
2
3
4
5
6
7
8
9 10  
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4  
Base to Emitter Voltage, VBE (V)  
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)  
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD  
3 of 4  
QW-R208-029,F  
www.unisonic.com.tw  

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