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2SA1785

更新时间： 2024-02-21 16:00:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 92K
描述
TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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2SA1785 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：,Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.55
最大集电极电流 (IC)：1 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：100最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)Base Number Matches：1

2SA1785 数据手册

 浏览型号2SA1785的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA1785的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1785的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA1785的Datasheet PDF文件第5页 
Ordering number : ENN3511A  
2SA1785 : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
2SC4645 : NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor  
2SA1785/2SC4645  
High Voltage Driver Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Large current capacity (I =1A).  
C
· High breakdown voltage (V  
≥400V).  
CEO  
2064A  
[2SA1785/2SC4645]  
2.5  
1.45  
1.0  
6.9  
0.6  
0.9  
0.5  
1
2
3
0.45  
1 : Emitter  
2 : Collector  
3 : Base  
( ) : 2SA1785  
2.54  
2.54  
Specifications  
SANYO : NMP  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
(–)400  
(–)400  
(–)5  
V
V
CBO  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
V
CEO  
V
V
EBO  
I
(–)1  
A
C
Colletor Current (Pulse)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
(–)2  
A
CP  
P
C
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
typ  
max  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
V
V
I
=(–)300V, I =0  
E
(–)1.0  
(–)1.0  
200*  
μA  
μA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CB  
Emitter Cutoff Current  
I
=(–)4V, I =0  
C
EBO  
DC Current Gain  
h
=(–)10V, I =(–)100mA  
C
40*  
FE  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
=(–)10V, I =(–)50mA  
C
(50)70  
(12)8  
MHz  
pF  
V
T
C
=(–)30V, f=1MHz  
ob  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
V
V
=(–)200mA, I =(–)20mA  
B
(–)1.0  
(–)1.0  
CE(sat)  
BE(sat)  
C
I
=(–)200mA, I =(–)20mA  
B
V
C
* : The 2SA1785/2SC4465 are classified by 100mA h as follows :  
Continued on next page.  
FE  
Rank  
C
D
E
h
40 to 80  
60 to 120  
100 to 200  
FE  
© 2011, SCILLC. All rights reserved.  
Jan-2011, Rev. 0  
Publication Order Number:  
www.onsemi.com  
2SA1785_2SC4645/D  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1785-AN ONSEMI

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