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2SA1386A

更新时间： 2024-01-03 09:07:47

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	150K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1386A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	MT100, TO-3P, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
最大集电极电流 (IC)：	15 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	40 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1386A 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1386 2SA1386A

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SC3519/3519A

APPLICATIONS

·Audio and general purpose

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

-160

-180

-160

-180

-5

UNIT

2SA1386

2SA1386A

2SA1386

2SA1386A

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

-15

I_B

Base current

-4

P_C

T_j

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

130

℃

150

T_stg

-55~150

12 3 4

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2SA1386A-O	SANKEN	暂无描述	获取价格
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