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2SA1190E

更新时间： 2024-01-20 19:09:49

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其他 - ETC		晶体晶体管放大器
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10页	44K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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2SA1190E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1190E 数据手册

2SA1190, 2SA1191

Noise Voltage Reffered to Input vs.

Collector Current

Collector Output Capacitance vs.

Collector to Base Voltage

100

V_CE= –6 V

Rg = 0

f = 1 kHz

f = 1 MHz

I_E= 0

1.0

0.3

0.1

–0.1

–0.3

–1.0

–3

–10

–1

–3

–10

–30

–100

Collector Current I_C(mA)

Collector to Base Voltage V_CB(V)

Noise Voltage Reffered to Input vs.

Collector to Emitter Voltage

Noise Voltage Reffered to Input vs.

Signal Source Resistance

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

1,000

100

V_CE= –6 V

f = 1 kHz

I_C= –10 mA

–1

–0.1

1.0

I_C= –1 mA

Rg = 0

f = 1 kHz

0.1

–1

–3

–10

–30

–100

100

1 k

10 k

100 k

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Signal Source Resistance R_g(Ω)

1...4 5 678 9 10

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与2SA1190E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1190-E	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1190ERF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1190ERR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1190ERR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SA1190ETZ-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1190RF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格