Datasheet > 2SA1190E

2SA1190E

更新时间： 2024-02-02 15:50:03

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
10页	44K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1190E 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	90 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	250	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SA1190E 数据手册

2SA1190, 2SA1191

Typical Output Characteristics (1)

Maximum Collector Dissipation Curve

–20

–16

–12

–8

600

400

200

–4

I_B= 0

–60 –80

–20

–40

–100

100

150

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Ambient Temperature Ta (°C)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics (2)

–100

–10

–8

–6

–4

–2

V_CE= –6 V

Pulse

Ta = 75°C

–25

–1.0

–0.1

–2 µA

I_B= 0

–20

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–4

–8

–12

–16

Base to Emitter Voltage V_BE(V)

1 2 345 6 7...10

下载PDF

与2SA1190E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1190-E	HITACHI	SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92	获取价格
2SA1190ERF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1190ERR	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2SA1190ERR	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SA1190ETZ-E	RENESAS	Silicon PNP Epitaxial	获取价格
2SA1190RF	HITACHI	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格