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2SA1158Y

更新时间： 2024-02-02 13:15:52

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	63K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-92

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2SA1158Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-609代码：	e0	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1158Y 数据手册

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1

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与2SA1158Y相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1160	TOSHIBA	TRANSISTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)	获取价格
2SA1160	WINNERJOIN	TRANSISTOR (PNP)	获取价格
2SA1160	CJ	TO-92L	获取价格
2SA1160(TO-92M)	JCST	Transistor	获取价格
2SA1160_07	TOSHIBA	Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications	获取价格
2SA1160_09	TOSHIBA	Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications	获取价格

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