5秒后页面跳转
2SA1160TPE6 PDF预览

2SA1160TPE6

更新时间: 2024-01-19 12:27:32
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
TRANSISTOR 2000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SA1160TPE6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.76
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):140 MHzBase Number Matches:1

2SA1160TPE6 数据手册

 浏览型号2SA1160TPE6的Datasheet PDF文件第2页 

与2SA1160TPE6相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA1161 NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products,

获取价格

2SA1161TPE2 TOSHIBA TRANSISTOR UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP RF Small Signal

获取价格

2SA1162 MCC Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTI

获取价格

2SA1162 NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products,

获取价格

2SA1162 TYSEMI High voltage and high current: VCEO = -50 V, IC = 150 mA (max)

获取价格

2SA1162 WINNERJOIN PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

获取价格