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2SA1060

更新时间： 2024-01-25 20:15:42

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
3页	123K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1060 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

2SA1060 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1060

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_(BR)CEO

V_CEsat

V_BE

PARAMETER

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter on voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

I_C=-10mA ;I_B=0

-80

I_C=-3A ;I_B=-0.3A

I_C=-3A;V_CE=-5V

V_CB=-80V; I_E=0

V_EB=-3V; I_C=0

-2.0

-1.8

-50

I_CBO

μA

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

h_FE-3

f_T

I_C=-20mA ; V_CE=-5V

I_C=-1A ; V_CE=-5V

I_C=-3A ; V_CE=-5V

I_C=-0.5A ; V_CE=-5V

DC current gain

200

DC current gain

Transition frequency

MHz

h_FE-2Classifications

40-80

60-120

100-200

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA1060Q	ISC	Transistor	获取价格
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