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2SA1063

更新时间： 2024-01-04 00:12:51

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SA1063 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	6 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	2 V

2SA1063 数据手册

Product Specification

www.jmnic.com

Silicon PNP Power Transistors

2SA1063

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·High transition frequency

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching

and amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-6

UNIT

Open base

Open collector

-6

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-10

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

12 3

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