Datasheet > 2SA1064

2SA1064

更新时间： 2024-02-23 23:19:46

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	162K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA1064 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	VCEsat-Max：	2 V

2SA1064 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SA1064

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SC2488

·High transition frequency

APPLICATIONS

·For audio frequency amplifier and high

power amplifier applications

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-5

UNIT

Open base

Open collector

-8

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-12

P_C

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-65~150

12 3

下载PDF

与2SA1064相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1064O	ISC	Transistor	获取价格
2SA1064P	ISC	Transistor	获取价格
2SA1064Q	ISC	Transistor	获取价格
2SA1065	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1065	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SA1065	ISC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格